江南app:迅疾退火炉正在化合物半导体上的行使(RTP SYSTEM)
碳化硅(SiC)是制作半导体器件及材料的理想材料之一,但其在工艺过程中,会不可避免的产生晶格缺陷等问题,而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域,快速退火发挥着无法取代的作用。
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点,在半导体领域具有广泛的应用前景。
由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成,这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如,在掺杂步骤中,传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂,但由于碳化硅扩散温度远高于硅,所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构,因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤,消除或减轻晶体应力和缺陷,提高结晶质量。
快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源,通过极快的升温速率,将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃,从而消除材料内部的一些缺陷,改善产品性能退火炉。
RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备,可兼容6-8英寸晶圆Wafer。
RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,可兼容4-12英寸晶圆Wafer。
✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;
RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备,标配三组工艺气体,可最大兼容6英寸晶圆Wafer。
✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;
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