贵州云弗电炉制造有限公司具有规模化（实验电炉、生产用炉、热处理领域、分析仪器）专业研发生产制造基地的科技创新型企业，主要研发制造的产品（实验电炉、生产用炉、马弗炉、电阻炉、高温炉、气氛炉、管式炉、井式炉、升降炉、退火炉、热处理炉、工业用炉、综合分析仪、热重分析仪、差热分析仪、差示扫描量热仪、氧化诱导期分析仪、碳黑含量测试仪、碳黑分散度检测仪、全自动视频熔点仪、全自动塑料粒子熔点仪）等设备,公司具拥有热工，制造，控制相关技术，为化学，物理，材料，电子，高分子工程，新材料研发和热处理、分析仪器领域的科学研究专业设计研发高级工程师、技术工程师，为公司提供了技术支持和精良设备。为云弗品牌提供了强有力的发展。云弗公司的产品设备广泛用于陶瓷高温的烧结、纳米材料的烧结、3D打印材料及模具退火、金属零件淬火、精密退火与微晶化、晶体的精密退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、电子电器及一切做高温实验和生产的热处理。公司产品在高等院校、科研院所、航天军工、IT产业、工厂企业等单位合作供应商，在电子电器、化工、冶金、轻工、医药、机械、陶瓷、橡胶、玻璃、水泥、建材等行业得以广泛应用。

　　武汉嘉仪通科技有限公司成立于2009年，总部位于中国• 光谷，是以薄膜物性测量仪器和半导体工艺设备作为战略定位，实现技术自主创新的国家高新技术企业。公司集快速退火炉、霍尔效应测试仪、热电参数测试系统、热导率测试系统、相变温度分析仪、液氮低温恒温器、热膨胀系数测试系统和芯片热管理系统等物性检测仪器和半导体工艺设备的研发、市场和技术服务于一体，相继被评为湖北省“百人计划”及武汉市政府“城市合伙人”企业，并荣获“湖北省技术发明一等奖”，现建有省级工程实验室、新型研发机构以及市级企业技术中心平台。

　　上海欧格斯特气体技术中心提供气体纯化、流量控制、压力控制、真空获得等解决方案。涡旋真空泵适用行业： 科学仪器（质谱分析、比表面仪、电子显微镜、分子泵前级泵）； 高能物理研究（光束线、微波系统）； 半导体（手套箱、厌氧烘箱、等离子清洗、特殊气体回收）； 光伏（退火炉、长晶炉）； 医疗设备（呼吸式癌症检测仪、质子重离子治疗仪）； 生物化学研究，航天工业，工业自动化等。 我们的产品技术先进，可靠耐用，符合国内外各类标准，不俱严苛环境以及极端温度和压力条件。同时，从初始概念设计到调试支持，还可根据您的独特需求提供定制化服务。

　　退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

　　红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s(线℃/s（线℃

　　高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限线db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，线atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限线.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高线℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

　　简介：快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景：快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响，国家越来越重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点：快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数：名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟（1000摄氏度→300摄氏度）温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯，顶部加热线mTorr以下工艺应用：快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；高温退火；高温扩散。应用领域：化合物合金（砷化镓、氮化物，碳化硅等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；IC晶圆；功率器件；MEMS；LED晶圆。设备说明：快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换：1.加热灯管更换：加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时，高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换：在使用过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月，随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换，其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期：项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度线M导向轴承季度使用润滑油产品推荐：全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于2英寸-12英寸晶圆或者最大支持300mmx300mm样品；退火温度范围300℃-1300℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于2英寸-12英寸晶圆或者最大支持300mmx300mm样品；退火温度范围300℃-1300℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于2英寸-4英寸晶圆或者最大支持100mmx100mm样品；退火温度范围300℃-1200℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。快速退火炉，RTA，RTP，合金炉，RTO，快速退火炉RTP，国产快速退火炉，自主研发，快速退火工艺，半导体设备，芯片退火设备

　　快速退火炉LRTP-1200，采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。快速退火炉应用案例l快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化l离子注入/接触退火lSiAu,SiAl,SiMo合金化l太阳能电池片键合l电阻烧结l低介电材料热处理l晶体化，致密化l其他热工艺需求快速退火炉产品特点l可测大尺寸样品可测单晶片样品的最大尺寸为4英寸（100mm）。l快速控温与高线℃/s，线Pa。l程序设定与气路扩展最多可创建和存储32个程序、8个PID设定，实现不同温度段的精确测试。最多可扩展至4条工艺气路（MFC），应用不同气氛环境（真空、氮气、氩气、氧气、氢氮混合气体等）。l全自动智能控制采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、气氛、冷却水等均可实现自动控制。l超高安全系数采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。快速退火炉技术参数型号LRTP-1200最高温度1200℃最高升温速率100℃/s最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)控温精度≤0.1℃温场均匀性≤0.5%腔体冷却水冷方式，独立冷却源衬底冷却氮气吹扫工艺气路MFC控制，4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)主机尺寸450×625×535，单位mm创新点：1.产品控温精度极高：可达± 0.5℃；2.采用红外加热技术，最高升温速率达150℃/s；3.全方位自动化，首次将真空及气路控制集成在软件中，一键操作方便快捷；4.打破行业内高精退火炉的进口设备长期垄断的局面；快速退火炉LRTP

　　前言碳化硅（SiC）是制作半导体器件及材料的理想材料之一，但其在工艺过程中，会不可避免的产生晶格缺陷等问题，而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥着无法取代的作用。01快速退火在化合物半导体上的应用碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具有广泛的应用前景。由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成，这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如，在掺杂步骤中，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂，但由于碳化硅扩散温度远高于硅，所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构，因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。*退火工艺处理前后对比（图源：网络）02什么是快速退火炉（RTP SYSTEM）快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部的一些缺陷，改善产品性能。*图源：网络03快速退火炉产品介绍 全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 全自动双腔设计，有效提升产能✅ 温度可达1250℃，具有超高温场均匀性✅ 具备稳定的温度重现性✅ 能够满足SIC量产化制程需求半自动快速退火炉RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 采用红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理；✅ 标配两组工艺气体，可扩展至6组工艺气体。桌面型快速退火炉RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可兼容6英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 采用快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。

　　真空设备在半导体行业中的应用愈来愈广泛，例如真空镀膜设备（蒸发，溅射），干法雷设备（ICP,RIE,PECVD）,热处理设备（合金炉，退火炉），掺杂设备（离子注入机等）这些真空设备作为半导体技术发展不可或缺的条件必将起到越来越重要的作用。上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪现已广泛应用于半导体设备检漏。

　　TC4钛合金的力学性能和使用性能与其显微组织密切相关。本文参考《常用钛合金热处理规范》设计再结晶退火实验，对某TC4钛合金锻材加热到950℃后保温两小时并随炉冷却至室温，利用岛津EPMA-1720型电子探针对再结晶退火前后样品中进行了表征，江南app结果表明，退火后两相的尺寸、形态及分布均发生了显著变化，测试结果对于评估TC4钛合金热处理工艺效果、优化设计热处理工艺及揭示组织性能强化机制有着重要的指导意义。

　　本文研究了高效球磨和持续退火对氧化镁和氧化铌混合物的影响。X射线的测量结果表明，当研磨达到5小时时，无定型相产生，而随着研磨时间的增加铌酸镁晶体从无定形相中析出。在500摄氏度进行退火后，结晶现象尤为明显。高密度铌酸镁晶体需要在1100摄氏度退火得到。

　　用于 ICP-OES 仪器的安捷伦径向整体炬管易于点燃并保持燃烧状态，减少停机时间。每根炬管都能提供均匀稳定的等离子体传输，帮助获得重现性极佳的结果。

　　用于 ICP-OES 仪器的安捷伦径向整体炬管易于点燃并保持燃烧状态，减少停机时间。每根炬管都能提供均匀稳定的等离子体传输，帮助获得重现性极佳的结果。

　　我想模拟连续退火，不知哪里可以有快速退火炉或者其它设备可以做实验，温度 加热到 800-840摄氏度，加热速度要大于1摄氏度每秒，不需要真空保护，要求可以直接测出试样的温度 请各位帮帮忙

　　1.用于铜管连续光亮退火炉的热交换强制冷却装置，中国树脂在线 → 化工文献 → 其他资料文献 → 有色金属 2.一种保护性气体在线吹扫铜管光亮连续退火炉，张民苏 蒋明根 严加伦 3.网链式铜管退火炉的研制，工业加热 2006年 第01期4.铜管光亮热处理炉的工艺设备及控制系统，余金波 中国计量协会冶金分会2007年会5.铜管(盘圆)辊底式连续光亮退火炉，王翔 王武 工业加热 2006年 第04期6.铜管拉伸工艺润滑油热解清洁性能的研究，周亚军 高志 肖刚 周立 湘潭大学自然科学学报 2000年 第04期7.井式光亮退火炉及其内吹扫工艺，羊林章 王云夫 佛山市顺德区精艺万希铜业有限公司8.铜材热处理技术与设备的开发，李耀群 陈志豪 有色金属工业 2003年 第04期

　　请问有什么样的真空退火炉呀？我不太懂这个，麻烦可以介绍一下相关设备，谢谢！

　　产品简介AnnealingBufferforRNAOligos(5×)，即RNA寡核苷酸退火缓冲液，可以用于RNAOligos的退火，可以有效避免RNAOligos自身形成发夹结构，有利于退火的正确进行。该退火缓冲液不含RNase，可避免RNA的降解。保存条件常温配送。一个月内，4oC保存。-20oC长期保存，至少1年有效。注意事项1.RNA易降解，需严格遵守RNA操作规范，防止RNase污染。2.本产品仅用于科学研究，不得用于临床诊断和治疗，不得用于食品和药品，不得存放于普通住宅内。3.为了您的安全和健康，请穿实验服并戴一次性手套操作。使用说明1.将RNAOligos用DEPC水配制成200μM，融化RNA退火缓冲液（5×），混匀备用。2.配置如下退火反应体系，混匀。DEPCWater30μLRNA退火缓冲液（5×）20μLRNAOligoA(200μM)25μLRNAOligoB(200μM)25μL总体积100μL3.退火方法一：将退火反应体系置于PCR仪中，设置反应条件：

　　DNA退火缓冲液(5×)由上海古朵生物供应，上海古朵生物专业经营进口分装和原装标准品对照品、国产/进口elisa试剂盒，国产/进口血清，生化试剂，培养基等科研生化试剂等。免费提供产品报价、实验原理、产品用途以及中英文说明书。我司多年为各大院校，各类医院，生物工程医药实验室以及其他行业科研消费者提供全面、周到的采购，上海古朵生物欢迎您的前来订购！名称：DNA退火缓冲液(5×)供应商：上海古朵生物产品规格：1ml分类：PCR相关

　　产品简介AnnealingBufferforDNAOligos(5×)，即DNA寡核苷酸退火缓冲液，该退火缓冲液不仅可以用于常规DNAOligos的退火，而且特别适合于较难退火的构建RNAi（siRNA和shRNA）质粒的DNAOligos，可以有效避免DNAOligos自身形成发夹结构，并且两条Oligos退火后可以直接和经酶切纯化的质粒连接。通常转化后可以得到大量的阳性克隆。保存条件常温配送。一个月内，4oC保存。-20oC长期保存，至少1年有效。注意事项1.DNA退火缓冲液（5×）只适合于DNAOligos的退火，不能用于RNAOligos的退火。2.本产品仅用于科学研究，不得用于临床诊断和治疗，不得用于食品和药品，不得存放于普通住宅内。使用说明1.将Oligos干粉用双蒸水配制成50μM，融化DNA退火缓冲液（5×），混匀备用。2.配置如下退火反应体系，混匀。Nuclease-FreeWater40μLDNA退火缓冲液（5×）20μLDNAOligoA(50μM)20μLDNAOligoB(50μM)20μL总体积100μL3.退火方法一：将退火反应体系置于PCR仪中，设置反应条件：95℃变性2min，-1℃/30s/cycle缓慢降温至25℃。程序设置以Bio-Rad的T100为例为：1.95℃,2:00 2.95℃,0:30,-1℃percycle 3.GOTOstep2,70X 4.4℃,∞。对于易形成发卡结构的Oligos可以延长时间降温时间：95℃变性2min，-1℃/90s/cycle缓慢降温至25℃。程序设置以Bio-Rad的T100为例为：1.95℃,2:00 2.95℃,1:30,-1℃percycle 3.GOTOstep2,70X 4.4℃,∞。4.退火方法二：将退火反应体系放于95°C水浴锅或金属浴，持续2min，后将退火反应体系置于一杯95°C的水中，让其自然冷却至室温。若是易形成发卡结构的Oligos，可以将95°C水放于保温杯中开盖降温。Note：缓慢降温对形成正确的结构是非常有帮助的，降温过快将导致错误结构的产生。5.退火结束后可直接用于连接反应，也可以-20oC冻存备用。若进行酶切等其它反应，更好用纯化试剂盒进行纯化，或者确保退火产物在反应体系中体积不超过5%，以避免退火缓冲液对后续酶反应体系的干扰。6.为了您的安全和健康，请穿实验服并戴一次性手套操作。